IT technika pre firmy aj domácnosti
WWorlds.sk
Kategórie a produkty
Všetky produkty
PC a notebooky
Počítačové komponenty
Servery, príslušenstvo a komponenty
Monitory
Mobilné telefóny a tablety
Multifunkcie a tlačiarne
PC periférie
Sieťové prvky
Software
Kancelárska technika
Pokladničné systémy
Foto a video
Inteligentné zariadenia
Spotrebná elektronika
Hobby a záhrada
Šport a voľný čas
Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung logo
Skladom
SKU: 499285•PartNumber: MZ-V9S1T0BW•EAN: 8806095575674

Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

IT technika pre vaše potreby|Prehľadné parametre
Skladom 25 ks
Informácie o dostupnosti pravidelne aktualizujeme
241,04 €s DPH (23%)
Cena bez DPH: 195,97 €
Recyklačný poplatok: 0,13 € / ks bez DPH (zahrnutý v cene)
Autorský poplatok: 3,91 € / ks bez DPH (zahrnutý v cene)
Doprava a doručeniePresnú cenu a termín zobrazíme v košíku podľa zvoleného spôsobu dopravy.
Bezpečný nákupObjednávku, platbu aj faktúru nájdete po prihlásení vo svojom účte.
Dostupnosť podľa skladu
Zodpovednosť za vady (záruka): 60 mesiacov

Popis produktu

Krátky popis
Formát:M.2 Rozhranie:NVMe Typ disku:SSD Veľkosť buffra (v MB):Nešpecifikované
Rozšírený popis
Modelové číslo MZ-V9S1T0BW
Atribút Hodnota
Všeobecná vlastnosť Použitie Klientske PC
Kapacita 1 000 GB (1 GB = 1 miliarda bajtov podľa IDEMA) * Skutočná využiteľná kapacita môže byť nižšia (v dôsledku formátu, rozdelenia, operačného systému, aplikácií alebo inak)
Formát M.2 (2280)
Rozhranie PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Rozmery (ŠxVxH) Max 80,15 x Max 22,15 x Max 2,38 mm
Hmotnosť Max 9,0 g
Pamäť na úložisko Samsung V-NAND TLC
Ovládač Vlastný ovládač Samsung
Cache pamäť HMB (Host Memory Buffer)
Špeciálne funkcie Podpora TRIM Podporované
Podpora S.M.A.R.T. Podporované
GC (Garbage Collection) Auto Garbage Collection Algorithm
Podpora šifrovania AES 256-bitové šifrovanie (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (šifrovaný disk)
Podpora WWN Nepodporované
Podpora režimu spánku zariadenia Áno
Výkonnosť Sekvenčné čítanie Až 7 150 MB/s * Výkon sa môže líšiť v závislosti od hardvéru a konfigurácie systému
Sekvenčné zápis Až 6 300 MB/s * Výkon sa môže líšiť v závislosti od hardvéru a konfigurácie systému
Náhodné čítanie (4KB, QD32) Až 850 000 IOPS * Výkon sa môže líšiť v závislosti od hardvéru a konfigurácie systému
Náhodný zápis (4KB, QD32) Až 1 350 000 IOPS * Výkon sa môže líšiť v závislosti od hardvéru a konfigurácie systému
Prostredie Priemerná spotreba energie (sistemová úroveň) Priemerná: čítanie 4,3 W / zápis 4,2 W* Skutočná spotreba energie sa môže líšiť v závislosti od hardvéru a konfigurácie systému
Spotreba energie (nečinnosť) Typická 60 mW * Skutočná spotreba energie sa môže líšiť v závislosti od hardvéru a konfigurácie systému
Spotreba energie (režim spánku zariadenia) Typická 5 mW * Skutočná spotreba energie sa môže líšiť v závislosti od hardvéru a konfigurácie systému
Prípustné napätie 3,3 V ± 5 % Prípustné napätie
Spoľahlivosť (MTBF) 1,5 milióna hodín spoľahlivosti (MTBF)
Prevádzková teplota 0 - 70 °C Prevádzková teplota
Nárazy 1 500 G & 0,5 ms (poločného sínusu)
Príslušenstvo Inštalačný kit Není dostupný
Softvér Správa SW Magician Software na správu SSD
Záruka 5 rokov obmedzená záruka alebo 600TBW Limited Warranty

Popis produktu bol preložený pomocou umelej inteligencie a môže obsahovať nepresnosti.

Detailný popis

Brochure Samsung MZ-V9S1T0BW

Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Brand : Samsung Product code: MZ-V9S1T0BW Názov produktu : MZ-V9S1T0 Samsung MZ-V9S1T0. Kapacita disku SSD: 1 TB, Formát SSD: M.2, Rýchlosť čítania: 7150 MB/s, Rýchlosť zápisu: 6300 MB/s, Komponent pre: PC

Vlastnosti

Verzia NVMe2.0
Podpora bezpečnostných algoritmov256-bit AES
Kapacita disku SSD1 TB
Formát SSDM.2
RozhraniePCI Express 4.0
NVMeÁno
Typ pamäteV-NAND TLC
Komponent prePC
Hardwarové šifrovanieÁno
Veľkosť M.2 SSD2280 (22 x 80 mm)
Rýchlosť čítania7150 MB/s
Rýchlosť zápisu6300 MB/s
Náhodné čítanie (4 KB)850000 IOPS
Náhodný zápis (4 KB)1350000 IOPS
Podpora DevSlp (spánok zariadenia)Áno
S.M.A.R.T. podporaÁno
Podpora TRIMÁno
Stredná doba medzi poruchami (MTBF)1500000 h

Sila

Prevádzkové napätie3,3 V
Spotreba energie (čítanie)4,3 W
Spotreba energie (zápis)4,2 W
Priemerná spotreba energie (čítanie)4,3 W
Priemerná spotreba energie (zápis)4,2 W
Spotreba energie (v pokoji)0,06 W
Spotreba energie DevSlp (spánok zariadenia)5 mW

Hmotnosť a rozmery

Šírka80,2 mm
Hĺbka2,38 mm
Výška80,2 mm
Hmotnosť9 g

Údaje o balení

Šírka balenia145 mm
Hĺbka balenia100 mm
Výška balenia24 mm
Hmotnosť vrátane balenia68 g

Prevádzkové prostredie

Prevádzkový rozsah teplôt (T-T)0 - 70 °C
Prevádzkové otrasy1500 G

Základné parametre

VýrobcaSamsung
Model / Part NumberMZ-V9S1T0BW
EAN kód8806095575674
Zodpovednosť za vady (záruka)60 mesiacov

Ostatné špecifikácie

FormátM.2 (2280)
Nárazy1 500 G & 0,5 ms (poločného sínusu)
Záruka5 rokov obmedzená záruka alebo 600TBW Limited Warranty
AtribútHodnota
RozhranieNVMe
FormátM.2
Veľkosť buffra (v MB)Nešpecifikované
OvládačVlastný ovládač Samsung
SoftvérSpráva SW
Typ diskuSSD
HmotnosťMax 9,0 g
Typ paměti SSDTLC
Rychlost zápisu MB/s6000MB/s a víc
Rychlost čtení MB/s7000MB/s a víc
Použití diskuPro PC
RozhraniePCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
VýkonnosťSekvenčné čítanie
Cache pamäťHMB (Host Memory Buffer)
ProstrediePriemerná spotreba energie (sistemová úroveň)
Použití diskuPro Notebooky
Modelové čísloMZ-V9S1T0BW
Podpora WWNNepodporované
Kapacita SSD1 TB
PríslušenstvoInštalačný kit
Rozmery (ŠxVxH)Max 80,15 x Max 22,15 x Max 2,38 mm
Pamäť na úložiskoSamsung V-NAND TLC
Prípustné napätie3,3 V ± 5 % Prípustné napätie
Špeciálne funkciePodpora TRIM
Podpora šifrovaniaAES 256-bitové šifrovanie (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (šifrovaný disk)
Spoľahlivosť (MTBF)1,5 milióna hodín spoľahlivosti (MTBF)
Podpora S.M.A.R.T.Podporované
Prevádzková teplota0 - 70 °C Prevádzková teplota
Všeobecná vlastnosťPoužitie
GC (Garbage Collection)Auto Garbage Collection Algorithm
Podpora režimu spánku zariadeniaÁno